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共聚焦拉曼光谱仪六大创新三大优势
发布时间:2017-11-13浏览:1283次
共聚焦拉曼光谱仪六大创新:
1、灵敏度远高于其它同类拉曼谱仪,模块化设计,波长可任意选择,配置灵活,升级容易。
2、仪器精度和重复性比市场同类光谱仪提高了一个数量级,所有马达带动的机械传动部件均采用光栅尺自动反馈控制。
3、可一次连续扫描大范围的光谱(),无需接谱,无需使用低分辨率光栅。
4、受保护的的显微共焦设计系统,可连续调节共焦深度,并大大提高了仪器的光通量和稳定性。
5、受保护的拉曼或荧光信号整体一次直接成像,迅速获得材料的空间分布。
6、与多种扫描探针显微镜(SPM)联用,如AFM、SNOM、CLSM等,可同时获取微区原位的形貌、结构和化学的信息。
 
共聚焦拉曼光谱仪优势:
1.高分辨:
共聚焦拉曼光谱仪具有800毫米的光谱仪焦长,其所能达到的分辨率约为标准300毫米焦长拉曼谱仪的3倍,比250毫米焦长的老式设计拉曼谱仪更高。从下图可以清楚地看到,用高分辨率系统采集的谱图有更多的数据点,在进行微小的拉曼峰移分析时,比短焦长系统准确的多。同样,用HR系统能更准确地给出拉曼谱峰的峰形这一重要的参数,峰位和峰形都能表征重要的样品变化。 
 
2.独特的灵活性: 
共聚焦拉曼光谱仪另一个独特的优势就是可在系统中配备一个附加出口。用双出口选项,可多配备一个红外 InGaAs阵列,ICCD, PMT或其它专业单道探测器。实际上,该系统有很宽的激光光源适应能力和多探测器选项,能提供很宽的光谱范围或进行时域分析。 
近红外探测器对于 在 830纳米或 1064纳米激发下的发光测量(例如对于半导体材料)和拉曼分析等特别有用。这两种应用下的光谱都在标准硅器件 CCD探测器的测量范围之外,例如,一些重要的 III- V族半导体材料的重要信息在 1100纳米和 1300纳米区域,不在硅器件的敏感探测区。用其它的探测器(如 InGaAs或 Ge探测器), 就很容易实现这个区域的测量. 
 
3.应力引起的拉曼位移: 
共聚焦拉曼光谱仪是一种理想的应用测量工具。左图中 固体相硅应力拉曼分析表明可识别出 0.3cm-1 的拉曼峰移。半导体器件中的新型SOI和SiGe薄膜具有类似的小峰位和峰形改变,非常适合用共聚焦拉曼光谱仪进行测量。
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