技术支持

您现在的位置:首页  >  技术文章  >  硅光电探测器特性分析

硅光电探测器特性分析
发布时间:2015-08-05浏览:1501次
      随着人类对新能源新技术的不断开发和利用,对光能的研究也进入了一个新的阶段。20世纪30年代时,人们对光的探测与研究用的都是光电倍增真空管(PMT),它昂贵,真空管内部机械结构部分制造复杂,体积大而且对电磁干扰非常敏感。人们开始寻求新的替代品来对光进行研究。在半导体行业飞速发展后,光敏半导体探测设备,像PIN光电二管,雪崩二管,以及90年代出现的硅光电倍增管,得到了迅速的发展,并在很多领域已经取代了PMT,相信在将来这些半导体探测器将被更广泛的应用。

硅光电倍增管被认为是 有潜力的一个。因为它有非常高的增益,基本不用太复杂的外接放大电路。它的加工制造也只是用的标准的CMOS工艺,因此经济又有效。硅光电倍增管除了在辐射测量领域的发展,随着现代医学的发展,它也在核医学领域受到了人们的广泛关注,如正电子发射计算机断层扫描装置(Positron Emission Tomography简称PET)。PET是目前惟一可在活体上显示生物分子代谢、受体及神经介质活动的新型影像技术,但它缺乏对各断层面之间的扫描。核磁共振成像(Magnet Resonance Imaging简称MRI)正好可以满足这一要求。磁共振成像是一种生物磁自旋成像技术,它可以直接作出各种体层图像,不会产生CT检测中的伪影,无电离辐射,对机体没有不良影响。如果能把PET和MRI结合起来将会对医学研究和发展起到深远意义。但是一直以来PET所使用的光探测器是PMT,PMT并不能在强磁场中工作,也就限制了MRI的发展,但硅光电倍增管正好解决了这个问题。使得PET和MRI的结合成为可能。
北京卓立汉光仪器有限公司 版权所有    备案号:京ICP备05015148号-4

技术支持:化工仪器网    管理登陆    网站地图

联系电话:
010-5637 0168-696

微信服务号