光致发光是半导体材料质量鉴定的一个重要手段，适合于测量不同衬底上生长的外延薄层，实验数据采集和样品制备简单，是非破坏性的，非常方便。光致发光光谱取决于实验样品中非平衡载流子的辐射复合过程，与材料的能带结构、缺陷状况、掺杂水平等因素有关。所以，通过光致发光光谱可以了解样品的能带结构、发光机制等物理过程的信息，并反映出材料的质量状况。由于光致发光光谱直接测量了样品的发光强度，在相同的测量条件下，可以对不同的样品的相对发光效率作出比对。而且作为研究半导体电子态的一种手段，光致发光的优点在于其灵敏度，尤其是它在光吸收实验灵敏度差的频段内有较高的灵敏度，二者可互为补充，并在半导体电子态研究中起重要作用。