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铟镓砷探测器DInGaAs系列

  • 产品型号:DInGaAs系列
  • 产品时间:2016-04-20
  • 简要描述:常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
    ——室温型近红外探测器,使用范围:0.8-1.7μm(2.6μm)
    ● DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs元件;
    ● DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs元件;
  • 产品简介

 

常温型铟镓砷探测器(InGaAs)
——室温型近红外探测器,使用范围:0.8-1.7μm(2.6μm)
● DInGaAs1600型内装国产小面积InGaAs元件;
● DInGaAs1650型内装国产大面积InGaAs元件;
● DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件;
● DInGaAs1700型内装进口大面积InGaAs元件;
● DInGaAs2600型内装进口InGaAs元件
光谱响应度曲线参考图
(虚线为国产InGaAs元件光谱响应度曲线,实线为进口元件):
 
 
型号列表及主要技术指标:
型号/参数
DInGaAs1600
DInGaAs1650
DInGaAs1700-R03M
DInGaAs1700
DInGaAs2600
光敏面直径(mm)
1.5
5
3
5
3
波长范围(nm)
900-1600
900-1650
800-1700
800-1700
800-2600
峰值响应度(A/W,  小)
0.85
0.85
0.9
0.95
1.1
暗电流(nA,  大)
0.1
200
100
10μA
1mA
D*(典型值)
-
-
2.3×1012
9.6×1011
4.1×1010
NEP(典型值)
-
-
1.2×10-13
2.8×10-13
6.5×10-12
阻抗(MΩ)
30
1
1.5
50kΩ
320Ω
电容(pF)
80
1500
800
-
9000
响应时间(ns)
8
160
100
300
1μs
信号输出模式
电流
电流
电流
电流
电流
输出信号性
正(P)
正(P)
正(P)
正(P)
 

■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs)

——TE制冷型近红外探测器,波长范围:0.8-2.6μm
       TE制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE具有相同的外观设计,其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600,均采用进口二级TE制冷铟镓砷探测元件,光谱响应曲线参考图如下:
型号列表及主要技术指标:
 
 型号/参数
DInGaAs1700-TE
DInGaAs1900-TE
DInGaAs2200-TE
DInGaAs2400-TE
DInGaAs2600-TE
光敏面直径(mm)
3
3
3
3
3
波长范围(nm)
800-1700
800-1900
800-2200
800-2400
800-2600
峰值响应度(A/W)
0.9
1
1.1
1.15
1.2
D*(典型值
8.4×1013
9.1×1012
1.9×1012
9.6×1011
4.9×1011
NEP(典型值
3.2×10-15
2.9×10-14
1.4×10-13
2.8×10-13
5.5×10-13
温控器型号
ZTC
ZTC
ZTC
ZTC
ZTC
探测器温度
-40
-40
-40
-40
-40
温度稳定度
±0.5
±0.5
±0.5
±0.5
±0.5
环境温度
+10~+40
+10~+40
+10~+40
+10~+40
+10~+40
信号输出模式
电流
电流
电流
电流
电流
输出信号性
正(P
正(P
正(P
正(P
正(P
备注
制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC
推荐使用前置放大器型号:ZPA-7
铟镓砷探测器使用建议:
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器均为电流输出模式的光电探测器,在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前,建议采用I-V跨导放大器ZPA-7(Page85)做为前级放大并转换为电压信号;标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号,但仍建议增加前置放大器以提高探测灵敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS103数据采集系统(Page95)使用时,建议采用I-V跨导放大器以提高探测灵敏度;
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列铟镓砷探测器配合DCS300PA数据采集系统(Page95)使用时,由于DCS300PA双通道已集成信号放大器,故可不再需要另行选配前置放大器;
● 制冷型DInGaAs-TE系列铟镓砷探测,在制冷模式时须使用温控器(型号:ZTC)进行降温控制;

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